STP7N80K5

Symbol Micros: TSTP7N80K5
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-MOSFET-Transistor; 800V; 30V; 1,2 Ohm; 6A; 110 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,2Ohm
Max. Drainstrom: 6A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP7N80K5 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
5 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 2,2108 1,8091 1,5788 1,4355 1,3815
Standard-Verpackung:
50
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP7N80K5 Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
2000 stk.
Anzahl Stück 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,3815
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP7N80K5 Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
894 stk.
Anzahl Stück 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,3815
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP7N80K5 Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
1000 stk.
Anzahl Stück 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,3815
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 1,2Ohm
Max. Drainstrom: 6A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT