STP7N95K3

Symbol Micros: TSTP7N95K3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-MOSFET-Transistor; 950V; 30V; 1,35 Ohm; 7,2A; 150 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,35Ohm
Max. Drainstrom: 7,2A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 950V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP7N95K3 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
16 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,5983 1,2754 1,0925 0,9809 0,9405
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 1,35Ohm
Max. Drainstrom: 7,2A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 950V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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