STP7N95K3

Symbol Micros: TSTP7N95K3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-MOSFET-Transistor; 950V; 30V; 1,35 Ohm; 7,2A; 150 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,35Ohm
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Max. Drainstrom: 7,2A
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 950V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP7N95K3 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
16 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,5703 1,2530 1,0733 0,9637 0,9240
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 1,35Ohm
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Max. Drainstrom: 7,2A
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 950V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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