STP7NK40Z

Symbol Micros: TSTP7NK40Z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-MOSFET-Transistor; 400V; 400V; 30V; 1Ohm; 5,4A; 70W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1Ohm
Max. Drainstrom: 5,4A
Maximaler Leistungsverlust: 70W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 400V
Msx. Drain-Gate Spannung: 400V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP7NK40Z RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 0,8836 0,6473 0,5201 0,4452 0,4202
Standard-Verpackung:
50
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP7NK40Z Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
440 stk.
Anzahl Stück 10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,4830
Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP7NK40Z Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
2340 stk.
Anzahl Stück 350+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,4202
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 1Ohm
Max. Drainstrom: 5,4A
Maximaler Leistungsverlust: 70W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 400V
Msx. Drain-Gate Spannung: 400V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT