STP7NK40Z

Symbol Micros: TSTP7NK40Z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-MOSFET-Transistor; 400V; 400V; 30V; 1Ohm; 5,4A; 70W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1Ohm
Max. Drainstrom: 5,4A
Maximaler Leistungsverlust: 70W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 400V
Msx. Drain-Gate Spannung: 400V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP7NK40Z RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
40 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,7516 0,4768 0,3758 0,3429 0,3265
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 1Ohm
Max. Drainstrom: 5,4A
Maximaler Leistungsverlust: 70W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 400V
Msx. Drain-Gate Spannung: 400V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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