STP7NK80Z
Symbol Micros:
TSTP7NK80Z
Gehäuse: TO220
N-MOSFET-Transistor; 800V; 800V; 30V; 1,8 Ohm; 5,2A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,8Ohm |
| Max. Drainstrom: | 5,2A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 125W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 800V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 800V |
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,4960 | 1,1430 | 0,9443 | 0,8298 | 0,7877 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP7NK80Z
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
70 stk.
| Anzahl Stück | 10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,8050 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP7NK80Z
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
7700 stk.
| Anzahl Stück | 600+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,7877 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,8Ohm |
| Max. Drainstrom: | 5,2A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 125W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 800V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 800V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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