STP7NK80Z

Symbol Micros: TSTP7NK80Z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-MOSFET-Transistor; 800V; 800V; 30V; 1,8 Ohm; 5,2A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,8Ohm
Max. Drainstrom: 5,2A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Msx. Drain-Gate Spannung: 800V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP7NK80Z RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
25 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,5200 1,1614 0,9595 0,8431 0,8004
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 1,8Ohm
Max. Drainstrom: 5,2A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Msx. Drain-Gate Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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