STP7NK80ZFP

Symbol Micros: TSTP7NK80ZFP
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 800V; 800V; 30V; 1,8 Ohm; 5,2A; 30W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,8Ohm
Max. Drainstrom: 5,2A
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Msx. Drain-Gate Spannung: 800V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP7NK80ZFP RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt
Auf Lager:
70 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,7901 1,3279 1,1050 1,0792 1,0534
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Standard-Verpackung:
50/100
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP7NK80ZFP Gehäuse: TO220iso  
Externes Lager:
740 stk.
Anzahl Stück 150+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 1,0534
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP7NK80ZFP Gehäuse: TO220iso  
Externes Lager:
2900 stk.
Anzahl Stück 150+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 1,0534
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 1,8Ohm
Max. Drainstrom: 5,2A
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Msx. Drain-Gate Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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