STP7NK80ZFP

Symbol Micros: TSTP7NK80ZFP
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 800V; 800V; 30V; 1,8 Ohm; 5,2A; 30W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,8Ohm
Max. Drainstrom: 5,2A
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Msx. Drain-Gate Spannung: 800V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP7NK80ZFP RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,8121 1,3442 1,1186 1,0925 1,0664
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Standard-Verpackung:
50/100
Widerstand im offenen Kanal: 1,8Ohm
Max. Drainstrom: 5,2A
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Msx. Drain-Gate Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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