STP7NM80
Symbol Micros:
TSTP7NM80
Gehäuse: TO220
N-MOSFET-Transistor; 800V; 30V; 1,05 Ohm; 6,5A; 90W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,05Ohm |
| Max. Drainstrom: | 6,5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 90W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 800V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,05Ohm |
| Max. Drainstrom: | 6,5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 90W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 800V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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