STP80NF03L-04 STMicroelectronics

Symbol Micros: TSTP80NF03L-04
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-MOSFET-Transistor; 30V; 30V; 20V; 6,5 mOhm; 80A; 300 W; -65 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 6,5mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 300W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Msx. Drain-Gate Spannung: 30V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP80NF03L-04 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,7978 1,3324 1,1091 1,0830 1,0569
Standard-Verpackung:
50/100
Widerstand im offenen Kanal: 6,5mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 300W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Msx. Drain-Gate Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 175°C
Montage: THT