STP80NF03L-04 STMicroelectronics

Symbol Micros: TSTP80NF03L-04
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Gehäuse: TO220
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N-MOSFET-Transistor; 30V; 30V; 20V; 6,5 mOhm; 80A; 300 W; -65 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 6,5mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 300W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Msx. Drain-Gate Spannung: 30V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP80NF03L-04 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,7349 1,2857 1,0703 1,0451 1,0199
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Standard-Verpackung:
50/100
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP80NF03L-04 Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
1825 stk.
Anzahl Stück 150+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 1,0199
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 6,5mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 300W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Msx. Drain-Gate Spannung: 30V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 175°C
Montage: THT

Symbol Micros

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