STP80NF10FP

Symbol Micros: TSTP80NF10fp
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
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N-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 15mOhm; 38A; 45W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 15mOhm
Max. Drainstrom: 38A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP80NF10FP RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,7240 1,3750 1,1769 1,0566 1,0141
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Standard-Verpackung:
50
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP80NF10FP Gehäuse: TO220iso  
Externes Lager:
194650 stk.
Anzahl Stück 150+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 1,1311
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP80NF10FP Gehäuse: TO220iso  
Externes Lager:
6000 stk.
Anzahl Stück 500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 1,0141
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 15mOhm
Max. Drainstrom: 38A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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