STP80NF10FP

Symbol Micros: TSTP80NF10fp
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
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N-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 15mOhm; 38A; 45W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 15mOhm
Max. Drainstrom: 38A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP80NF10FP RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,7361 1,3846 1,1851 1,0640 1,0212
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 15mOhm
Max. Drainstrom: 38A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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