STP80NF10FP
Symbol Micros:
TSTP80NF10fp
Gehäuse: TO220iso
N-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 15mOhm; 38A; 45W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 15mOhm |
| Max. Drainstrom: | 38A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 45W |
| Gehäuse: | TO220iso |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP80NF10FP RoHS
Gehäuse: TO220iso
Datenblatt
Auf Lager:
20 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,1247 | 1,7820 | 1,5835 | 1,4606 | 1,4157 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP80NF10FP
Gehäuse: TO220iso
Externes Lager:
199900 stk.
| Anzahl Stück | 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,4157 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP80NF10FP
Gehäuse: TO220iso
Externes Lager:
6000 stk.
| Anzahl Stück | 500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,4157 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP80NF10FP
Gehäuse: TO220iso
Externes Lager:
184800 stk.
| Anzahl Stück | 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,4157 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 15mOhm |
| Max. Drainstrom: | 38A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 45W |
| Gehäuse: | TO220iso |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole