STP80NF12 STMicroelectronics

Symbol Micros: TSTP80NF12
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-MOSFET-Transistor; 120V; 20V; 18mOhm; 80A; 300 W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 18mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 300W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 120V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP80NF12 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
99 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 50+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,4542 1,0154 0,8613 0,8123 0,7656
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Standard-Verpackung:
50/300
Widerstand im offenen Kanal: 18mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 300W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 120V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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