STP8NK80Z

Symbol Micros: TSTP8NK80Z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 800V; 30V; 1,5 Ohm; 6,2A; 140 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,5Ohm
Max. Drainstrom: 6,2A
Maximaler Leistungsverlust: 140W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP8NK80Z RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
40 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,5698 1,2516 1,0711 0,9642 0,9239
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 1,5Ohm
Max. Drainstrom: 6,2A
Maximaler Leistungsverlust: 140W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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