STP9NK50Z
Symbol Micros:
TSTP9NK50Z
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 500V; 30V; 850 mOhm; 7,2A; 110 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 850mOhm |
| Max. Drainstrom: | 7,2A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 110W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 500V |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP9NK50Z
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
150 stk.
| Anzahl Stück | 10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5865 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP9NK50Z
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
2974 stk.
| Anzahl Stück | 250+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4658 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 850mOhm |
| Max. Drainstrom: | 7,2A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 110W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 500V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole