STP9NK50Z

Symbol Micros: TSTP9NK50Z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 500V; 30V; 850 mOhm; 7,2A; 110 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 850mOhm
Max. Drainstrom: 7,2A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Msx. Drain-Gate Spannung: 500V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP9NK50Z RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
75 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 1,1899 0,7917 0,6120 0,5915 0,5665
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Standard-Verpackung:
50/100
Widerstand im offenen Kanal: 850mOhm
Max. Drainstrom: 7,2A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Msx. Drain-Gate Spannung: 500V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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