STP9NK60ZFP

Symbol Micros: TSTP9NK60ZFP

Gehäuse: TO220iso

N-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 950 mOhm; 7A; 30W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	950mOhm
Max. Drainstrom:	7A
Maximaler Leistungsverlust:	30W
Gehäuse:	TO220iso
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	600V
Max. Gate-Source Spannung:	30V

Widerstand im offenen Kanal:	950mOhm
Max. Drainstrom:	7A
Maximaler Leistungsverlust:	30W
Gehäuse:	TO220iso
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	600V
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT