STP9NK60ZFP

Symbol Micros: TSTP9NK60ZFP
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
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N-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 950 mOhm; 7A; 30W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 950mOhm
Max. Drainstrom: 7A
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP9NK60ZFP RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt
Auf Lager:
6 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,2402 0,8691 0,6952 0,6741 0,6530
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Standard-Verpackung:
50/100
Widerstand im offenen Kanal: 950mOhm
Max. Drainstrom: 7A
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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