STP9NK60ZFP

Symbol Micros: TSTP9NK60ZFP
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
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N-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 950 mOhm; 7A; 30W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 950mOhm
Max. Drainstrom: 7A
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP9NK60ZFP RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt
Auf Lager:
6 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,2462 0,8733 0,6986 0,6774 0,6561
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Standard-Verpackung:
50/100
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP9NK60ZFP Gehäuse: TO220iso  
Externes Lager:
2000 stk.
Anzahl Stück 650+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,6561
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP9NK60ZFP Gehäuse: TO220iso  
Externes Lager:
5900 stk.
Anzahl Stück 250+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,6561
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 950mOhm
Max. Drainstrom: 7A
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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