STP9NK90Z

Symbol Micros: TSTP9NK90Z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-MOSFET-Transistor; 900V; 30V; 1,3 Ohm; 8A; 160 W; -55 °C ~ 150 °C; WMK09N90C2-CYG
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,3Ohm
Max. Drainstrom: 8A
Maximaler Leistungsverlust: 160W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 900V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP9NK90Z RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
90 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,9938 1,5889 1,3606 1,2217 1,1723
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 1,3Ohm
Max. Drainstrom: 8A
Maximaler Leistungsverlust: 160W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 900V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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