STP9NM60N
Symbol Micros:
TSTP9nm60n
Gehäuse: TO220
N-MOSFET-Transistor; 650V; 25V; 745 mOhm; 6,5A; 70W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 745mOhm |
| Max. Drainstrom: | 6,5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 70W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 650V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,1181 | 0,8203 | 0,6571 | 0,5650 | 0,5319 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP9NM60N
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
3000 stk.
| Anzahl Stück | 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,6832 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP9NM60N
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
2000 stk.
| Anzahl Stück | 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,6583 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 745mOhm |
| Max. Drainstrom: | 6,5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 70W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 650V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 25V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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