STS4DNF60L SOIC8 STM

Symbol Micros: TSTS4DNF60L
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
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N-MOSFET-Transistor; 60V; 15V; 65mOhm; 4A; 2W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 65mOhm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 15V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STS4DNF60L RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt
Auf Lager:
272 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 0,9564 0,6338 0,5217 0,4713 0,4553
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Standard-Verpackung:
300
Widerstand im offenen Kanal: 65mOhm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 15V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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