STS4DPF30L

Symbol Micros: TSTS4DPF30L VBS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
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SO-8 MOSFETs ROHS STS4DPF30L-VB;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 70mOhm
Max. Drainstrom: -4A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: -30V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: VBsemi Hersteller-Teilenummer: STS4DPF30L-VB RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5290 0,2947 0,2318 0,2186 0,2116
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 70mOhm
Max. Drainstrom: -4A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: -30V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: 2xP-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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