STS5DNF60L

Symbol Micros: TSTS5DNF60L
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
2xN-MOSFET-Transistor; 60V; 15V; 55mOhm; 5A; 2W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 55mOhm
Max. Drainstrom: 5A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STS5DNF60L RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 97+
Nettopreis (EUR) 1,5960 1,2635 1,0759 0,9880 0,9381
Standard-Verpackung:
97
Widerstand im offenen Kanal: 55mOhm
Max. Drainstrom: 5A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 15V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD