STU2NK100Z
Symbol Micros:
TSTU2NK100Z
Gehäuse: TO251 (IPACK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 1000V; 30V; 8,5 Ohm; 1,85A; 70W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 8,5Ohm |
| Max. Drainstrom: | 1,85A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 70W |
| Gehäuse: | TO251 (IPACK) |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 1000V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STU2NK100Z RoHS
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Datenblatt
Auf Lager:
65 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 5+ | 20+ | 75+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,7489 | 0,5547 | 0,4096 | 0,3511 | 0,3253 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STU2NK100Z
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Externes Lager:
14625 stk.
| Anzahl Stück | 1050+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3305 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 8,5Ohm |
| Max. Drainstrom: | 1,85A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 70W |
| Gehäuse: | TO251 (IPACK) |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 1000V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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