STU4N52K3

Symbol Micros: TSTU4N52K3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO251 (IPACK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 525V; 30V; 2,6 Ohm; 2,5A; 45W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,6Ohm
Max. Drainstrom: 2,5A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 525V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STU4N52K3 RoHS Gehäuse: TO251 (IPACK) Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 75+ 300+ 1200+
Nettopreis (EUR) 0,4996 0,3026 0,2240 0,2064 0,1994
Standard-Verpackung:
75
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STU4N52K3 Gehäuse: TO251 (IPACK)  
Externes Lager:
6150 stk.
Anzahl Stück 525+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1996
Standard-Verpackung:
75
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STU4N52K3 Gehäuse: TO251 (IPACK)  
Externes Lager:
1950 stk.
Anzahl Stück 600+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2158
Standard-Verpackung:
75
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STU4N52K3 Gehäuse: TO251 (IPACK)  
Externes Lager:
5325 stk.
Anzahl Stück 600+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1994
Standard-Verpackung:
75
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 2,6Ohm
Max. Drainstrom: 2,5A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 525V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT