STW11NM80

Symbol Micros: TSTW11NM80
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO 3P
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N-MOSFET-Transistor; 800V; 30V; 400 mOhm; 11A; 150 W; -65 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 400mOhm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TO 3P
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW11NM80 RoHS Gehäuse: TO 3P Datenblatt
Auf Lager:
49 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 60+ 180+
Nettopreis (EUR) 4,0089 3,2062 2,8357 2,7621 2,6908
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Standard-Verpackung:
30/60
Widerstand im offenen Kanal: 400mOhm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TO 3P
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Montage: THT

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