STW12NK80Z
Symbol Micros:
TSTW12NK80Z
Gehäuse: TO247
N-MOSFET-Transistor; 800V; 800V; 30V; 750 mOhm; 10,5A; 190 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 750mOhm |
| Max. Drainstrom: | 10,5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 190W |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 800V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 800V |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STW12NK80Z
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
1380 stk.
| Anzahl Stück | 120+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,1272 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STW12NK80Z
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
2310 stk.
| Anzahl Stück | 120+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,0864 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STW12NK80Z
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
150 stk.
| Anzahl Stück | 120+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,1489 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 750mOhm |
| Max. Drainstrom: | 10,5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 190W |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 800V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 800V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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