STW12NK90Z

Symbol Micros: TSTW12NK90Z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
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N-MOSFET-Transistor; 900V; 30V; 880 mOhm; 11A; 230 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 880mOhm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 230W
Gehäuse: TO247
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 900V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW12NK90Z RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
78 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 120+ 240+
Nettopreis (EUR) 3,1017 2,5578 2,3156 2,2372 2,2158
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Standard-Verpackung:
30/90
Widerstand im offenen Kanal: 880mOhm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 230W
Gehäuse: TO247
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 900V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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