STW13NK100Z

Symbol Micros: TSTW13NK100Z

Gehäuse: TO247

N-Channel-MOSFET-Transistor; 1000V; 1000V; 30V; 700 mOhm; 13A; 350 W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	700mOhm
Max. Drainstrom:	13A
Maximaler Leistungsverlust:	350W
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	1000V
Msx. Drain-Gate Spannung:	1000V

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW13NK100Z RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt

Auf Lager:

18 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	30+	90+
Nettopreis (EUR)	5,3484	4,7523	4,3928	4,2130	4,1136

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW13NK100Z Gehäuse: TO247

Externes Lager:

5548 stk.

Anzahl Stück	60+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	4,1136

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW13NK100Z Gehäuse: TO247

Externes Lager:

5510 stk.

Anzahl Stück	150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	4,1136

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW13NK100Z Gehäuse: TO247

Externes Lager:

19290 stk.

Anzahl Stück	60+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	4,1136

Widerstand im offenen Kanal:	700mOhm
Max. Drainstrom:	13A
Maximaler Leistungsverlust:	350W
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	1000V
Msx. Drain-Gate Spannung:	1000V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT