STW13NK100Z
Symbol Micros:
TSTW13NK100Z
Gehäuse: TO247
N-Channel-MOSFET-Transistor; 1000V; 1000V; 30V; 700 mOhm; 13A; 350 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 700mOhm |
| Maximaler Leistungsverlust: | 350W |
| Max. Drainstrom: | 13A |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 1000V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 1000V |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STW13NK100Z RoHS
Gehäuse: TO247
Datenblatt
Auf Lager:
16 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 90+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 5,2269 | 4,6443 | 4,2929 | 4,1173 | 4,0202 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STW13NK100Z
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
445 stk.
| Anzahl Stück | 5+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 4,0202 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STW13NK100Z
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
5510 stk.
| Anzahl Stück | 150+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 4,0202 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STW13NK100Z
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
3328 stk.
| Anzahl Stück | 60+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 4,0202 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 700mOhm |
| Maximaler Leistungsverlust: | 350W |
| Max. Drainstrom: | 13A |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 1000V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 1000V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole