STW13NK60Z

Symbol Micros: TSTW13NK60z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
N-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 550 mOhm; 13A; 150 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 550mOhm
Max. Drainstrom: 13A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TO247
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW13NK60Z RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
65 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 120+ 240+
Nettopreis (EUR) 2,3558 1,8668 1,6552 1,5894 1,5705
Standard-Verpackung:
30/120
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW13NK60Z Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
573 stk.
Anzahl Stück 120+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,5705
Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW13NK60Z Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
4440 stk.
Anzahl Stück 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,5705
Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 550mOhm
Max. Drainstrom: 13A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TO247
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT