STW15NK50Z

Symbol Micros: TSTW15NK50
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO 3P
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N-MOSFET-Transistor; 500V; 500V; 30V; 340 mOhm; 14A; 160 W; -50 °C ~ 150 °C; Äquivalent: STW15NB50;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 340mOhm
Max. Drainstrom: 14A
Maximaler Leistungsverlust: 160W
Gehäuse: TO 3P
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Msx. Drain-Gate Spannung: 500V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW15NK50Z RoHS Gehäuse: TO 3P Datenblatt
Auf Lager:
14 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 60+ 300+
Nettopreis (EUR) 2,7388 2,1036 1,8274 1,7755 1,7117
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Standard-Verpackung:
30/60
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW15NK50Z Gehäuse: TO 3P  
Externes Lager:
6420 stk.
Anzahl Stück 150+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 1,7117
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Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW15NK50Z Gehäuse: TO 3P  
Externes Lager:
7170 stk.
Anzahl Stück 330+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 1,7117
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Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 340mOhm
Max. Drainstrom: 14A
Maximaler Leistungsverlust: 160W
Gehäuse: TO 3P
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Msx. Drain-Gate Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -50°C ~ 150°C
Montage: THT

Symbol Micros

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