STW15NK90Z

Symbol Micros: TSTW15NK90Z

Gehäuse: TO247

N-Channel-MOSFET-Transistor; 900V; 900V; 30V; 550 mOhm; 15A; 350 W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	550mOhm
Max. Drainstrom:	15A
Maximaler Leistungsverlust:	350W
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	900V
Msx. Drain-Gate Spannung:	900V

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW15NK90Z RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt

Auf Lager:

25 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	30+	90+
Nettopreis (EUR)	4,7963	4,2602	3,9381	3,7782	3,6889

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW15NK90Z Gehäuse: TO247

Externes Lager:

9660 stk.

Anzahl Stück	60+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	3,6889

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW15NK90Z Gehäuse: TO247

Externes Lager:

21647 stk.

Anzahl Stück	60+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	3,6889

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW15NK90Z Gehäuse: TO247

Externes Lager:

3855 stk.

Anzahl Stück	60+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	3,6889

Widerstand im offenen Kanal:	550mOhm
Max. Drainstrom:	15A
Maximaler Leistungsverlust:	350W
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	900V
Msx. Drain-Gate Spannung:	900V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT