STW15NK90Z

Symbol Micros: TSTW15NK90Z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 900V; 900V; 30V; 550 mOhm; 15A; 350 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 550mOhm
Max. Drainstrom: 15A
Maximaler Leistungsverlust: 350W
Gehäuse: TO247
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 900V
Msx. Drain-Gate Spannung: 900V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW15NK90Z RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
25 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Nettopreis (EUR) 4,8449 4,3034 3,9781 3,8166 3,7263
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Standard-Verpackung:
30
Widerstand im offenen Kanal: 550mOhm
Max. Drainstrom: 15A
Maximaler Leistungsverlust: 350W
Gehäuse: TO247
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 900V
Msx. Drain-Gate Spannung: 900V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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