STW15NK90Z

Symbol Micros: TSTW15NK90Z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
N-Channel-MOSFET-Transistor; 900V; 900V; 30V; 550 mOhm; 15A; 350 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 550mOhm
Max. Drainstrom: 15A
Maximaler Leistungsverlust: 350W
Gehäuse: TO247
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 900V
Msx. Drain-Gate Spannung: 900V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW15NK90Z RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
25 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Nettopreis (EUR) 4,8104 4,2728 3,9497 3,7894 3,6998
Standard-Verpackung:
30
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW15NK90Z Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
1920 stk.
Anzahl Stück 180+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 3,6998
Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW15NK90Z Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
19457 stk.
Anzahl Stück 90+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 3,6998
Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 550mOhm
Max. Drainstrom: 15A
Maximaler Leistungsverlust: 350W
Gehäuse: TO247
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 900V
Msx. Drain-Gate Spannung: 900V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT