STW20NM50FD

Symbol Micros: TSTW20NM50FD
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 500V; 30V; 250 mOhm; 20A; 214W; -65 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 250mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 214W
Gehäuse: TO247
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Msx. Drain-Gate Spannung: 500V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW20NM50FD RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Nettopreis (EUR) 3,7477 3,1516 2,7930 2,6148 2,5151
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
30
Widerstand im offenen Kanal: 250mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 214W
Gehäuse: TO247
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Msx. Drain-Gate Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Montage: THT

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole