STW20NM50FD

Name: TSTW20NM50FD TSTW20NM50FD
Brand: ST
SKU: TSTW20NM50FD
Price: 2.5028 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TSTW20NM50FD

Gehäuse: TO247

N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 500V; 30V; 250 mOhm; 20A; 214W; -65 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	250mOhm
Max. Drainstrom:	20A
Maximaler Leistungsverlust:	214W
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	500V
Msx. Drain-Gate Spannung:	500V

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW20NM50FD RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt

Auf Lager:

30 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	30+	90+
Nettopreis (EUR)	3,7294	3,1362	2,7794	2,6021	2,5028

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW20NM50FD Gehäuse: TO247

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4699 stk.

Anzahl Stück	90+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	2,5028

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW20NM50FD Gehäuse: TO247

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5940 stk.

Anzahl Stück	240+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	2,5028

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW20NM50FD Gehäuse: TO247

Externes Lager:

3966 stk.

Anzahl Stück	90+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	2,5028

Widerstand im offenen Kanal:	250mOhm
Max. Drainstrom:	20A
Maximaler Leistungsverlust:	214W
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	500V
Msx. Drain-Gate Spannung:	500V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Montage:	THT