STW20NM50FD

Symbol Micros: TSTW20NM50FD
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 500V; 30V; 250 mOhm; 20A; 214W; -65 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 250mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 214W
Max. Drainstrom: 20A
Gehäuse: TO247
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Msx. Drain-Gate Spannung: 500V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW20NM50FD RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Nettopreis (EUR) 3,6480 3,0677 2,7186 2,5453 2,4482
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Standard-Verpackung:
30
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW20NM50FD Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
4751 stk.
Anzahl Stück 90+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 2,4482
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Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW20NM50FD Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
5940 stk.
Anzahl Stück 240+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 2,4482
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Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 250mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 214W
Max. Drainstrom: 20A
Gehäuse: TO247
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Msx. Drain-Gate Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Montage: THT

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