STW20NM60FD STM

Symbol Micros: TSTW20NM60fd
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
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N-MOSFET-Transistor; 600V; 600V; 30V; 290 mOhm; 20A; 214W; -65 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 290mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 214W
Gehäuse: TO247
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Msx. Drain-Gate Spannung: 600V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW20NM60FD RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
60 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Nettopreis (EUR) 3,7358 3,3202 3,0684 2,9449 2,8737
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Standard-Verpackung:
30
Widerstand im offenen Kanal: 290mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 214W
Gehäuse: TO247
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Msx. Drain-Gate Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Montage: THT

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