STW25NM60ND

Symbol Micros: TSTW25NM60ND
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 25V; 160 mOhm; 21A; 160 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 160mOhm
Max. Drainstrom: 21A
Maximaler Leistungsverlust: 160W
Gehäuse: TO247
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW25NM60ND RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
6 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Nettopreis (EUR) 4,3073 3,8293 3,5424 3,3990 3,3125
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Standard-Verpackung:
10
Widerstand im offenen Kanal: 160mOhm
Max. Drainstrom: 21A
Maximaler Leistungsverlust: 160W
Gehäuse: TO247
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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