STW28N65M2

Symbol Micros: TSTW28N65M2
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
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Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 180mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 170W
Gehäuse: TO247
Hersteller: ST
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW28N65M2 Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
240 stk.
Anzahl Stück 60+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 2,2036
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Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 180mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 170W
Gehäuse: TO247
Hersteller: ST
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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