STW3N150

Symbol Micros: TSTW3N150
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
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N-MOSFET-Transistor; 1500 V; 30V; 9Ohm; 2,5A; 140 W; -50 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 9Ohm
Max. Drainstrom: 2,5A
Maximaler Leistungsverlust: 140W
Gehäuse: TO247
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 1500V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW3N150 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Nettopreis (EUR) 2,5942 2,0587 1,8256 1,7471 1,7287
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Standard-Verpackung:
30
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW3N150 Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
2863 stk.
Anzahl Stück 60+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 2,0279
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Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 9Ohm
Max. Drainstrom: 2,5A
Maximaler Leistungsverlust: 140W
Gehäuse: TO247
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 1500V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -50°C ~ 150°C
Montage: THT

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