STW4N150

Symbol Micros: TSTW4N150
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
N-Channel-MOSFET-Transistor; 1500 V; 30V; 7Ohm; 4A; 160 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 7Ohm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 160W
Gehäuse: TO247
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 1500V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW4N150 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Nettopreis (EUR) 3,1781 2,8227 2,6103 2,5042 2,4441
Standard-Verpackung:
30
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW4N150 Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
430 stk.
Anzahl Stück 5+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 4,3646
Standard-Verpackung:
5
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW4N150 Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
28125 stk.
Anzahl Stück 60+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 3,0744
Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW4N150 Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
6950 stk.
Anzahl Stück 60+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 2,9468
Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW4N150 Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
510 stk.
Anzahl Stück 120+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 3,2766
Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 7Ohm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 160W
Gehäuse: TO247
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 1500V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT