STW52NK25Z

Symbol Micros: TSTW52NK25Z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
N-Channel-MOSFET-Transistor; 250V; 250V; 30V; 45mOhm; 52A; 300 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 45mOhm
Max. Drainstrom: 52A
Maximaler Leistungsverlust: 300W
Gehäuse: TO247
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 250V
Msx. Drain-Gate Spannung: 250V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW52NK25Z RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
19 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Nettopreis (EUR) 2,1731 1,7242 1,5295 1,4630 1,4487
Standard-Verpackung:
30
Widerstand im offenen Kanal: 45mOhm
Max. Drainstrom: 52A
Maximaler Leistungsverlust: 300W
Gehäuse: TO247
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 250V
Msx. Drain-Gate Spannung: 250V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT