STW5NK100Z

Symbol Micros: TSTW5NK100Z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
N-MOSFET-Transistor; 1000V; 30V; 3,7 Ohm; 3,5A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3,7Ohm
Max. Drainstrom: 3,5A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: TO247
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 1000V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW5NK100Z RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
15 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,8934 1,4032 1,1977 1,1277 1,1137
Standard-Verpackung:
30
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW5NK100Z Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
14018 stk.
Anzahl Stück 120+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 1,1137
Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW5NK100Z Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
16040 stk.
Anzahl Stück 390+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 1,1137
Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 3,7Ohm
Max. Drainstrom: 3,5A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: TO247
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 1000V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT