STW88N65M5

Symbol Micros: TSTW88N65M5
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 25V; 29mOhm; 84A; 450 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 29mOhm
Max. Drainstrom: 84A
Maximaler Leistungsverlust: 450W
Gehäuse: TO247
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW88N65M5 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
5 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 10+ 20+ 40+
Nettopreis (EUR) 12,5418 11,8133 11,6312 11,4991 11,4013
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Standard-Verpackung:
5
Widerstand im offenen Kanal: 29mOhm
Max. Drainstrom: 84A
Maximaler Leistungsverlust: 450W
Gehäuse: TO247
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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