STW8N120K5 STMicroelectronics

Symbol Micros: TSTW8N120K5
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Gehäuse: TO247
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Transistor N-Channel MOSFET; 1200V; 30V; 2Ohm; 6A; 130W; -55°C ~ 150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2Ohm
Max. Drainstrom: 6A
Maximaler Leistungsverlust: 130W
Gehäuse: TO247
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 1200V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW8N120K5 Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
430 stk.
Anzahl Stück 30+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 4,2815
Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 2Ohm
Max. Drainstrom: 6A
Maximaler Leistungsverlust: 130W
Gehäuse: TO247
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 1200V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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