STW8NK80Z
Symbol Micros:
TSTW8NK80Z
Gehäuse: TO 3P
N-MOSFET-Transistor; 800V; 800V; 30V; 1,5 Ohm; 7,2A; 175W; -65 °C ~ 150 °C; Äquivalent: STW8NA80;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,5Ohm |
| Max. Drainstrom: | 7,2A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 175W |
| Gehäuse: | TO 3P |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 800V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 800V |
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 30+ | 90+ | 270+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,7902 | 1,3250 | 1,1300 | 1,0807 | 1,0525 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STW8NK80Z
Gehäuse: TO 3P
Externes Lager:
2430 stk.
| Anzahl Stück | 180+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,0525 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STW8NK80Z
Gehäuse: TO 3P
Externes Lager:
840 stk.
| Anzahl Stück | 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,0525 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STW8NK80Z
Gehäuse: TO 3P
Externes Lager:
1290 stk.
| Anzahl Stück | 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,0525 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,5Ohm |
| Max. Drainstrom: | 7,2A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 175W |
| Gehäuse: | TO 3P |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 800V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 800V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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