STW9N150

Symbol Micros: TSTW9N150
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 1500 V; 30V; 2,5 Ohm; 8A; 320 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,5Ohm
Max. Drainstrom: 8A
Maximaler Leistungsverlust: 320W
Gehäuse: TO247
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 1500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW9N150 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
5 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 10+ 20+ 50+
Nettopreis (EUR) 11,0364 10,2883 10,1054 9,9725 9,8537
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Standard-Verpackung:
5
Widerstand im offenen Kanal: 2,5Ohm
Max. Drainstrom: 8A
Maximaler Leistungsverlust: 320W
Gehäuse: TO247
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 1500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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