STW9N150

Symbol Micros: TSTW9N150
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Gehäuse: TO247
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 1500 V; 30V; 2,5 Ohm; 8A; 320 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,5Ohm
Max. Drainstrom: 8A
Maximaler Leistungsverlust: 320W
Gehäuse: TO247
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 1500V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW9N150 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
5 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 10+ 30+ 100+
Nettopreis (EUR) 6,8322 6,1283 5,9642 5,7956 5,6931
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Standard-Verpackung:
5
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW9N150 Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
40 stk.
Anzahl Stück 5+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 7,6590
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Standard-Verpackung:
5
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Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 2,5Ohm
Max. Drainstrom: 8A
Maximaler Leistungsverlust: 320W
Gehäuse: TO247
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 1500V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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