STW9NK90Z

Symbol Micros: TSTW9NK90z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
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N-MOSFET-Transistor; 900V; 30V; 1,3 Ohm; 8A; 160 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,3Ohm
Max. Drainstrom: 8A
Maximaler Leistungsverlust: 160W
Gehäuse: TO247
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 900V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW9NK90Z RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
38 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 120+ 240+
Nettopreis (EUR) 2,7668 2,1208 1,8406 1,7527 1,7290
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Standard-Verpackung:
30/120
Widerstand im offenen Kanal: 1,3Ohm
Max. Drainstrom: 8A
Maximaler Leistungsverlust: 160W
Gehäuse: TO247
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 900V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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