SUD23N06-31-GE3

Symbol Micros: TSUD23N06-31
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252/3 (DPAK)
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Single N-Channel MOSFET 60V 0.031 Ohm 100W
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 31mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 31,25W
Max. Drainstrom: 9,1A
Gehäuse: TO252/3 (DPAK)
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SUD23N06-31-GE3 Gehäuse: TO252/3 (DPAK)  
Externes Lager:
2000 stk.
Anzahl Stück 2000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,3491
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Standard-Verpackung:
2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SUD23N06-31-GE3 Gehäuse: TO252/3 (DPAK)  
Externes Lager:
1650 stk.
Anzahl Stück 50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,4081
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SUD23N06-31-GE3 Gehäuse: TO252/3 (DPAK)  
Externes Lager:
2000 stk.
Anzahl Stück 2000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,3256
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Standard-Verpackung:
2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 31mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 31,25W
Max. Drainstrom: 9,1A
Gehäuse: TO252/3 (DPAK)
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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