SUD50P04-09L-E3

Name: TSUD50P04-09L-E3 VBS TSUD50P04-09L-E3 VBS
Brand: VBsemi
SKU: TSUD50P04-09L-E3VBS
Price: 0.6233 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TSUD50P04-09L-E3 VBS

Gehäuse: TO252

P-Channel-MOSFET-Transistor; -40V; +/-20V; 59mOhm; -50A; 136W; -55°C~175°C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	20mOhm
Max. Drainstrom:	-50A
Maximaler Leistungsverlust:	136W
Gehäuse:	TO252
Hersteller:	VBsemi
Max. Drain-Source Spannung:	-40V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: VBsemi Hersteller-Teilenummer: SUD50P04-09L-E3-VB RoHS Gehäuse: TO252t/r Datenblatt

Auf Lager:

60 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	1,1851	0,8295	0,7039	0,6447	0,6233

Widerstand im offenen Kanal:	20mOhm
Max. Drainstrom:	-50A
Maximaler Leistungsverlust:	136W
Gehäuse:	TO252
Hersteller:	VBsemi
Max. Drain-Source Spannung:	-40V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD