SUM110P06-07L

Symbol Micros: TSUM110P06-07l

Gehäuse: TO263 (D2PAK)

P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 6,9 mOhm; 110A; 375 W; -55 °C ~ 175 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	6,9mOhm
Max. Drainstrom:	110A
Maximaler Leistungsverlust:	375W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: SUM110P06-07L-E3 RoHS Gehäuse: TO263t/r (D2PAK)

Auf Lager:

10 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	300+
Nettopreis (EUR)	2,6210	2,0798	1,8789	1,7796	1,7465

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SUM110P06-07L-E3 Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Externes Lager:

2400 stk.

Anzahl Stück	800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,7465

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SUM110P06-07L-E3 Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Externes Lager:

21900 stk.

Anzahl Stück	800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,7465

Widerstand im offenen Kanal:	6,9mOhm
Max. Drainstrom:	110A
Maximaler Leistungsverlust:	375W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD