SUM110P06-07L

Name: TSUM110P06-07l TSUM110P06-07l
Brand: Vishay
SKU: TSUM110P06-07l
Price: 1.7373 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TSUM110P06-07l

Gehäuse: TO263 (D2PAK)

P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 6,9 mOhm; 110A; 375 W; -55 °C ~ 175 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	6,9mOhm
Max. Drainstrom:	110A
Maximaler Leistungsverlust:	375W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: SUM110P06-07L-E3 RoHS Gehäuse: TO263t/r (D2PAK)

Auf Lager:

10 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	300+
Nettopreis (EUR)	2,6071	2,0688	1,8690	1,7702	1,7373

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SUM110P06-07L-E3 Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Externes Lager:

470 stk.

Anzahl Stück	10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	1,9149

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SUM110P06-07L-E3 Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Externes Lager:

17600 stk.

Anzahl Stück	800+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	1,7373

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SUM110P06-07L-E3 Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Externes Lager:

175500 stk.

Anzahl Stück	800+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	1,7373

Widerstand im offenen Kanal:	6,9mOhm
Max. Drainstrom:	110A
Maximaler Leistungsverlust:	375W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD