SUM110P06-08L-E3

Symbol Micros: TSUM110P06-08l
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: D2PAK
Transistor P-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 10,5mOhm; 110A; 272W; -55°C~175°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 10,5mOhm
Max. Drainstrom: 110A
Maximaler Leistungsverlust: 272W
Gehäuse: D2PAK
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SUM110P06-08L-E3 RoHS Gehäuse: D2PAK t/r Datenblatt
Auf Lager:
258 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Nettopreis (EUR) 2,8903 2,4866 2,2491 2,1327 2,0638
Standard-Verpackung:
800
Widerstand im offenen Kanal: 10,5mOhm
Max. Drainstrom: 110A
Maximaler Leistungsverlust: 272W
Gehäuse: D2PAK
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD