SUM110P06-08L-E3
Symbol Micros:
TSUM110P06-08l
Gehäuse: D2PAK
Transistor P-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 10,5mOhm; 110A; 272W; -55°C~175°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 10,5mOhm |
Max. Drainstrom: | 110A |
Maximaler Leistungsverlust: | 272W |
Gehäuse: | D2PAK |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: SUM110P06-08L-E3 RoHS
Gehäuse: D2PAK t/r
Datenblatt
Auf Lager:
258 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 100+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 2,8593 | 2,4599 | 2,2249 | 2,1098 | 2,0417 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: SUM110P06-08L-E3
Gehäuse: D2PAK
Externes Lager:
13600 stk.
Anzahl Stück | 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 2,0417 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: SUM110P06-08L-E3
Gehäuse: D2PAK
Externes Lager:
43200 stk.
Anzahl Stück | 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 2,0417 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: SUM110P06-08L-E3
Gehäuse: D2PAK
Externes Lager:
8800 stk.
Anzahl Stück | 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 2,0417 |
Widerstand im offenen Kanal: | 10,5mOhm |
Max. Drainstrom: | 110A |
Maximaler Leistungsverlust: | 272W |
Gehäuse: | D2PAK |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | SMD |
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