SUM55P06-19L-E3

Symbol Micros: TSUM55P06-19l
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: D2PAK
P-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 41mOhm; 55A; 125 W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 41mOhm
Max. Drainstrom: 55A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: D2PAK
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SUM55P06-19L-E3 RoHS Gehäuse: D2PAK t/r Datenblatt
Auf Lager:
2 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,5994 1,1196 0,9526 0,8703 0,8421
Standard-Verpackung:
800
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SUM55P06-19L-E3 Gehäuse: D2PAK  
Externes Lager:
4800 stk.
Anzahl Stück 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,8421
Standard-Verpackung:
800
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SUM55P06-19L-E3 Gehäuse: D2PAK  
Externes Lager:
5440 stk.
Anzahl Stück 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,8421
Standard-Verpackung:
800
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SUM55P06-19L-E3 Gehäuse: D2PAK  
Externes Lager:
800 stk.
Anzahl Stück 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,8421
Standard-Verpackung:
800
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 41mOhm
Max. Drainstrom: 55A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: D2PAK
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD