TIP120

Symbol Micros: TTIP120 c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
Transistor NPN Bipolar ; Darlington; 60?V; 5A; 2W; TO220 Transistor NPN Bipolar ; Darlington; 60?V; 5A; 2W; TO220
Parameter
Verlustleistung: 2W
Stromverstärkungsfaktor: 1000
Hersteller: LGE
Gehäuse: TO220
Max. Kollektor-Strom [A]: 5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Hersteller: LGE Hersteller-Teilenummer: TIP120 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
176 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3432 0,2243 0,1606 0,1403 0,1316
Standard-Verpackung:
50/200
Verlustleistung: 2W
Stromverstärkungsfaktor: 1000
Hersteller: LGE
Gehäuse: TO220
Max. Kollektor-Strom [A]: 5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN