TIP122

Symbol Micros: TTIP122 c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
NPN 100V 5A ; Transistor: NPN; Bipolar; Darlington; 100V; 5A; 2W; TO220 NPN 100V 5A ; Transistor: NPN; Bipolar; Darlington; 100V; 5A; 2W; TO220
Parameter
Verlustleistung: 2W
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 1000
Gehäuse: TO220
Max. Kollektor-Strom [A]: 5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2025-09-30
Anzahl Stück: 500
Verlustleistung: 2W
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 1000
Gehäuse: TO220
Max. Kollektor-Strom [A]: 5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN