TIP122

Symbol Micros: TTIP122 FOS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
Transistor NPN; Bipolar; 1000; 100V; 5V; 5A; 2W; -55°C~150°C; Transistor NPN; Bipolar; 1000; 100V; 5V; 5A; 2W; -55°C~150°C;
Parameter
Verlustleistung: 2W
Grenzfrequenz: 1MHz
Stromverstärkungsfaktor: 1000
Hersteller: FOSHAN
Gehäuse: TO220
Max. Kollektor-Strom [A]: 5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Verlustleistung: 2W
Grenzfrequenz: 1MHz
Stromverstärkungsfaktor: 1000
Hersteller: FOSHAN
Gehäuse: TO220
Max. Kollektor-Strom [A]: 5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN