TIP141-S

Symbol Micros: TTIP141
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO218
NPN darl. 10A 100V 125W NPN darl. 10A 100V 125W
Parameter
Verlustleistung: 125W
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 1000
Gehäuse: TO218
Max. Kollektor-Strom [A]: 10A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: TIP141G RoHS Gehäuse: TO218 Datenblatt
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,8647 1,3815 1,1787 1,1104 1,0962
Standard-Verpackung:
30
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: TIP141G Gehäuse: TO218  
Externes Lager:
360 stk.
Anzahl Stück 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,0962
Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 125W
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 1000
Gehäuse: TO218
Max. Kollektor-Strom [A]: 10A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN