TIP50G ON

Symbol Micros: TTIP50g
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
Transistor GP BJT NPN 400V 1A 40000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Transistor GP BJT NPN 400V 1A 40000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Parameter
Verlustleistung: 40W
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 150
Gehäuse: TO220
Grenzfrequenz: 10MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 400V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Verlustleistung: 40W
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 150
Gehäuse: TO220
Grenzfrequenz: 10MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 400V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN