TK090E65Z,S1X(S

Symbol Micros: TTK090E65Z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
PWR-MOSFET N-CHANNEL
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 90mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 230W
Gehäuse: TO220
Hersteller: TOSHIBA
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Toshiba Hersteller-Teilenummer: TK090E65Z,S1X(S Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 2,7180
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 90mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 230W
Gehäuse: TO220
Hersteller: TOSHIBA
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole