TK090E65Z,S1X(S
Symbol Micros:
TTK090E65Z
Gehäuse: TO220
PWR-MOSFET N-CHANNEL
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 90mOhm |
| Max. Drainstrom: | 30A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 230W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | TOSHIBA |
| Max. Drain-Source Spannung: | 650V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 90mOhm |
| Max. Drainstrom: | 30A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 230W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | TOSHIBA |
| Max. Drain-Source Spannung: | 650V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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